Esta nueva clase de
memoria desencadena el desempeño de las computadoras personales, los
centros de datos y más
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México, D.F. 29 de julio de 2015 – Intel Corporation y
Micron Technology, Inc. anunciaron de manera conjunta el inicio de la
producción de la tecnología 3D XPoint™, una memoria no volátil que tiene el
potencial de revolucionar el rápido acceso de cualquier dispositivo, aplicación
o servicio a grandes volúmenes de datos. La tecnología 3D XPoint representa un progreso considerable
en la tecnología de proceso de memoria y es la evolución de NAND flash que se
introdujo al mercado en el año1989.
La proliferación de dispositivos conectados y
servicios digitales está generando cantidades enormes de datos nuevos. Para que
estos datos sean útiles, deben almacenarse y analizarse rápidamente, lo cual
plantea desafíos, ventajas y desventajas para los proveedores de servicios y
los constructores de sistemas al momento de diseñar soluciones de memoria y
almacenamiento, tales como costo, niveles de potencia y desempeño. La
tecnología 3D XPoint combina las ventajas de desempeño, densidad, potencia, no
volatilidad y costo de todas las tecnologías de memoria disponibles en el
mercado en la actualidad; es hasta 1,000
veces más veloz y hasta 1,000 veces más resistente[3] que NAND, y es 10 veces
más densa que la memoria convencional.
“Durante décadas, la industria ha buscado formas de
reducir el desfase entre el procesador y los datos para permitir un análisis
más rápido,” declaró Rob Crooke, Vicepresidente Senior y Gerente General del
Grupo de Soluciones de Memoria no Volátil de Intel. “Esta nueva clase de
memoria alcanza esta meta y produce un desempeño novedoso en las soluciones de
memoria y de almacenamiento”.
“Uno de los obstáculos más importantes es la latencia
del procesador para alcanzar los datos en el almacenamiento a largo plazo,”
manifestó Mark Adams, presidente de Micron. “Esta nueva clase de memoria no
volátil es una tecnología revolucionaria, que permite el rápido acceso a
enormes volúmenes de datos y hace posible aplicaciones completamente nuevas”.
En virtud del veloz crecimiento del mundo digital– de
4.4 zettabytes de datos digitales creados en 2013 a 44 zettabytes esperados
para 2020[4] – la tecnología 3D XPoint puede convertir esta inmensa cantidad de
datos en información valiosa en cuestión de nanosegundos. Por ejemplo, los
vendedores minoristas pueden utilizarla para identificar con mayor velocidad
los patrones de detección de fraudes en las operaciones financieras; los
investigadores de salud serán capaces de procesar y analizar un mayor volumen
de datos en tiempo real, acelerando tareas complejas, como los análisis
genéticos y el seguimiento de enfermedades.
Las ventajas de desempeño de la tecnología 3D XPoint
también podría mejorar la experiencia de la computadora personal, al permitir
que los consumidores disfruten de medios sociales interactivos y de una
colaboración más rápida y dinámica, así
como de experiencias de videojuegos más inmersivas. El carácter no volátil de
la tecnología también la convierte en una gran opción para una variedad de
aplicaciones de almacenamiento de latencia baja, ya que los datos no se borran
cuando se apaga el dispositivo.
Nueva receta, arquitectura para la tecnología de
memoria innovadora
Con más de una década de investigación y desarrollo,
la tecnología 3D XPoint fue construida desde los cimientos para abordar la
necesidad de almacenamiento y memoria no volátil, de alto rendimiento y gran
resistencia a un costo asequible. Marca el comienzo de una nueva clase de
memoria no volátil que reduce significativamente las latencias, permitiendo que
se almacenen muchos más datos cerca del procesador y que se tenga acceso a
ellos a velocidades nunca antes vistas para el almacenamiento no volátil.
La innovadora arquitectura de punto de cruce sin
transistor crea un tablero de ajedrez tridimensional en el que las celdas de la
memoria se colocan en la intersección de las líneas de palabras y las líneas de
bits, permitiendo que las celdas se aborden en forma individual. Como
resultado, los datos pueden escribirse y leerse en pequeñas dimensiones, dando
como resultado un proceso de lectura y escritura más eficiente.
A continuación, describimos más detalles acerca de la
tecnología 3D XPoint:
·
Estructura de matriz de punto de cruce – Conductores perpendiculares
conectan 128 mil millones de celdas de memoria empacadas densamente. Cada celda
de memoria almacena un solo bit de datos. Esta estructura compacta da como
resultado bits de alto desempeño y alta densidad.
·
Apilable – Además de la estructura de matriz de punto de cruz compacta,
las celdas de memoria se apilan en varias capas. La tecnología inicial almacena
128Gb por die a lo largo de dos capas de memoria. Las generaciones futuras de esta tecnología
elevan el número de capas de memoria, además de la escalada de tono litográfico
tradicional, mejorando aún más las capacidades del sistema.
·
Selector – Se accede a las celdas de memoria o se lee (o escribe) en
ellas variando la cantidad de voltaje que se envía a cada selector. De este
modo, se elimina la necesidad de transistores aumentando la capacidad al tiempo
que se reduce el costo.
· Celda
de conmutación rápida – Con una celda pequeña, un selector de conmutación
rápida, una matriz de punto de cruce de latencia baja y un algoritmo de
escritura rápida, la celda puede cambiar de estado en forma más veloz que
cualquier tecnología de memoria no volátil que existe en la actualidad.
La tecnología 3D XPoint se probará este año con
clientes seleccionados; además, Intel y Micron están desarrollando productos
individuales con base en esta tecnología.
Intel
Intel (NASDAQ: INTC) es líder mundial en innovación en
cómputo. La compañía diseña y construye las tecnologías esenciales que sirven
como base para los dispositivos de cómputo del mundo. Como líder en
responsabilidad corporativa y en sustentabilidad, Intel también fabrica los
primeros microprocesadores “libres de conflicto” del mundo disponibles
comercialmente. Puede encontrar información adicional sobre Intel en
newsroom.intel.com y blogs.intel.com, y sobre los esfuerzos libres de conflicto
de Intel en conflictfree.intel.com
Micron Technology, Inc.
Micron Technology, Inc., es una empresa líder a nivel
mundial en el sector de los sistemas avanzados de semiconductores. La amplia
variedad de tecnologías de memoria de alto rendimiento de Micron —incluyendo DRAM, NAND y NOR
Flash—es la base de unidades de estado sólido, módulos, paquetes multichip y
otras soluciones de sistemas. Respaldada por más de 35 años de liderazgo en
tecnología, las soluciones de memoria Micro hacen posibles las aplicaciones más
innovadoras en los sectores de informática, consumo, almacenamiento
empresarial, de red, móviles, integradas y automotrices. Las acciones
ordinarias de Micron se cotizan en el índice de NASDAQ bajo el símbolo MU. Si
desea saber más acerca de Micron Technology, Inc., visite www.micron.com
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